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專業(yè)生產(chǎn)跌落式熔斷器、氧化鋅避雷器、高壓隔離開關(guān)、真空斷路器及相應(yīng)配件的生產(chǎn)廠家? ? ? ? 聯(lián)系電話:18368780285? ? ??

跌落式熔斷器型號(hào)HRW12-12/200A技術(shù)解析

一、型號(hào)剖析及其技術(shù)內(nèi)涵

HRW12-12/200A是電力系統(tǒng)中常見的戶外高壓熔斷器型號(hào),其命名規(guī)則遵循行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)《JB/T 8321-2006 交流高壓跌落式熔斷器》。各代碼段分解如下:

12kV200A跌落式熔斷器-恩彼邁

HRW標(biāo)識(shí)

H:代表"跌落式"結(jié)構(gòu)(Drop-out Type);R:表示"熔斷器"(Fuse);W:指戶外使用特性(Weatherproof)

12-12參數(shù)組

前12:額定電壓為12kV,適用于10kV配電系統(tǒng)(已考慮1.2倍裕量);后12:設(shè)計(jì)序號(hào),代表第三代改進(jìn)型滅弧結(jié)構(gòu)

200A標(biāo)識(shí)

額定電流200安培,指熔斷器本體長期承載能力,熔絲額定電流的選配,應(yīng)依據(jù)保護(hù)需求單獨(dú)開展。

二、典型結(jié)構(gòu)特征

絕緣支撐系統(tǒng)

高強(qiáng)度硅橡膠復(fù)合絕緣子,爬電距離≥280mm;三重傘裙結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),可與IV級(jí)污穢等級(jí)的要求相契合。

滅弧管組件

內(nèi)襯產(chǎn)氣式滅弧筒,其材質(zhì)為聚碳酸酯;螺旋槽導(dǎo)氣結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)縱向吹弧效應(yīng)

動(dòng)態(tài)接觸系統(tǒng)

上靜觸頭采用銅鎢合金(CuW80)提高抗電弧燒蝕能力;下動(dòng)觸頭裝配雙向扭力彈簧,從而確保分閘速度超1.2m/s。

三、關(guān)鍵性能參數(shù)

短路開斷能力

對(duì)稱開斷電流:6.3kA(有效值);非對(duì)稱峰值:16kA(含直流分量)

時(shí)間-電流特性

最小熔斷電流:1.3倍額定電流(200×1.3=260A);0.1s動(dòng)作電流:≥8倍額定電流

機(jī)械壽命

正常操作2000次后接觸電阻變化<15%;觸頭壓力保持≥50N

四、典型應(yīng)用場(chǎng)景

配電線路保護(hù)

10kV架空線路的分段保護(hù),以及配電變壓器的過載和短路保護(hù)。

分布式電源接入

光伏電站集電線路的防護(hù),以及風(fēng)電場(chǎng)箱變高壓端的保護(hù)舉措。

特殊環(huán)境應(yīng)用

沿海高鹽霧地區(qū)(需配合RTV涂層);海拔2000m以下地區(qū)(超過需降容使用)

五、選型注意事項(xiàng)

系統(tǒng)適配性

確認(rèn)系統(tǒng)最高電壓≤12kV;短路容量<250MVA(對(duì)應(yīng)12kV系統(tǒng))

環(huán)境適應(yīng)性

環(huán)境溫度范圍:-40℃~+85℃;風(fēng)速耐受能力:≤35m/s

維護(hù)要求

定期對(duì)觸頭燒蝕情況予以檢查,檢查周期為每三年一次;檢測(cè)熔管密封性(于濕度變化后觀測(cè)結(jié)露情況)。

恩彼邁公司此型號(hào)熔斷器業(yè)已通過GB/T 15166.2標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證。其運(yùn)用撞針式熔絲觸發(fā)機(jī)構(gòu),能夠與智能監(jiān)測(cè)模塊協(xié)同,達(dá)成遠(yuǎn)程故障定位功能。實(shí)際應(yīng)用中需注意熔絲額定電流不應(yīng)超過熔斷器本體額定值的80%,推薦配合HRC型限流熔絲使用,以實(shí)現(xiàn)更精確的保護(hù)特性。隨著智能電網(wǎng)的不斷發(fā)展,新一代產(chǎn)品業(yè)已集成無線測(cè)溫功能。然而,基礎(chǔ)型號(hào)憑借結(jié)構(gòu)簡單、維護(hù)便捷的特性,在中壓配網(wǎng)里依舊占據(jù)著重要地位。

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運(yùn)用2500V兆歐表測(cè)量絕緣電阻時(shí),新裝設(shè)備的絕緣電阻不得低于1000MΩ,運(yùn)行中的設(shè)備絕緣電阻不得低于300MΩ,工頻耐壓試驗(yàn)要求以1.2倍額定電壓持續(xù)施加1分鐘,其間不得出現(xiàn)閃絡(luò)現(xiàn)象。交流接觸電阻的測(cè)試值應(yīng)不超過200μΩ。